какое свойство кремния широко используют в радиоэлектронике

Электроника на карбиде кремния: мощнее, быстрее, надежнее

На протяжении развития силовой электроники неоднократно менялся полупроводниковый материал, из которого изготавливались приборы. Селен, германий, кремний… Теперь этот список дополнил такой материал, как карбид кремния, и ему прочат большое будущее. О том, чем карбид кремния хорош именно для электроэнергетики и какие революционные изменения несет его внедрение, пойдет речь в этой статье.

Для переключения электрического тока вместо механических реле все чаще применяются полупроводниковые приборы. Наиболее распространенный вариант — так называемые МОП-транзисторы (аббревиатура расшифровывается как «металл-окисел-полупроводник», в зарубежной литературе применяется термин MOSFET).

Конструкция МОП-транзистора с n-каналом

Если очень упрощенно представить конструкцию МОП-транзистора, то она представляет собой полупроводниковую пластину, в которой сделан проводящий канал, расположенный между изолированным электродом — так называемым затвором — и подложкой. На концах канала располагаются электроды, именуемые истоком и стоком. Обычно подложка и исток электрически соединены. В зависимости от напряжения между затвором и подложкой транзистор либо открыт, либо закрыт. В открытом состоянии поток электронов идет через канал от истока к стоку или в обратном направлении, в зависимости от типа канала (описание регулировки этого процесса подачей напряжения на затвор слишком сложен и выходит за рамки данной статьи). В закрытом состоянии электроны между указанными электродами двигаться не должны. Но из-за конечного сопротивления полупроводникового кристалла в закрытом состоянии наблюдается небольшой ток утечки.

Наличие тока утечки — основной недостаток электронного переключателя по сравнению с механическими контактами реле. Когда контакты реле разомкнуты, ток через них практически равен нулю. Если речь идет о напряжениях порядка сотен и тем более тысяч вольт, токи утечки представляют уже серьезную проблему. Помимо нерационального расходования электроэнергии, они приводят к сильному нагреву коммутирующего прибора, что может привести к его выходу из строя.

Обнаружить карборунд в природе — большая редкость, обычно SiC производят путем синтеза

Наиболее массовым материалом для построения силовой электроники сейчас является кремний. При этом наметилась тенденция внедрения МОП-транзисторов, изготовленных уже не из кремния, а из карбида кремния (SiC). Такие транзисторы имеют намного меньшие токи утечки, чем кремниевые, и многие параметры, критичные для силовой электроники, у них находятся на более высоком уровне.

Физика процессов

Энергетические уровни электронов в полупроводниках и диэлектриках могут находиться в одной из двух зон — валентной или проводимости. Между этими зонами находится так называемая запрещенная зона, в которой энергетические уровни электронов присутствовать не могут. Разница между диэлектриками и полупроводниками заключается только в ширине запрещенной зоны. Принято считать, что у полупроводников она меньше 5,5 эВ.

При температуре, близкой к абсолютному нулю, все электроны располагаются в валентной зоне, материал не проводит электричество. По мере нагревания энергетические уровни части электронов переходят в зону проводимости. Чем выше температура, тем больше электронов переходит на эти уровни, соответственно, сопротивление полупроводника падает, а ток утечки растет. Если не обеспечить эффективный теплоотвод, может начаться процесс, когда, разогрев кристалла влечет за собой увеличение тока утечки, что приводит к еще большему разогреву и т. д. вплоть до выхода прибора из строя.

Чем шире запрещенная зона полупроводника, тем меньше вероятность перехода электронов из зоны валентности в зону проводимости. Соответственно, для снижения тока утечки нужно применять полупроводники с как можно более широкой запрещенной зоной. Силовая электроника постепенно движется в этом направлении. От силовых приборов на основе германия быстро отказались, т. к. материал имел ширину запрещенной зоны око-ло 0,7 эВ. Кремний в этом смысле лучше подошел для силовой электроники, поскольку у него ширина запрещенной зоны составляет 1,12 эВ. Карбид кремния, в зависимости от типа кристаллической решетки, может иметь ширину запрещенной зоны от 2,2 до 3,3 эВ, что позволяет обеспечить на порядок более высокое сопротивление исток-сток в закрытом состоянии. Если кремний выдерживает температуры до +125 °C, то карбид кремния — теоретически до +600 °C (на практике до +200 °C, больше просто корпуса не выдерживают).

Особенностью карбида кремния также является многообразие форм кристаллической решетки, для электроники на практике пока применяются только варианты 4H и 6H. Карбид кремния обладает в три раза большей теплопроводностью по сравнению с кремнием. Это обеспечивает лучший отвод тепла от кристалла.

Технологические проблемы

Человечество использует карбид кремния вот уже больше века, но… как материал для изготовления шлифовальных инструментов. В шлифовальных дисках часто используется карборунд — синтетический материал, содержащий около 93 % SiC.

Из-за того, что карбид кремния представляет собой очень прочный материал, сопоставимый по этому параметру с алмазом, его сложно обрабатывать. Другой проблемой была очистка от примесей. Да, карборунд производится в больших количествах и стоит недорого, но попытки наладить выпуск более чистого карбида кремния сталкивались с проблемами. В итоге массовое производство приемлемых по цене мощных МОП-транзисторов из карбида кремния было налажено только в 2010-х годах.

Недостатком большинства SiC-транзисторов является сложность конструкции драйвера для их управления

Еще одной проблемой, характерной для карбида кремния, является сложность управления изготовленными из него транзисторами. Кремниевый МОП-транзистор открывается при подаче на затвор напряжения от 1 до 4 В относительно истока, в зависимости от модели. Если на затворе 0 В, то такой транзистор будет находиться в закрытом состоянии.

Применение в инверторах

Меньшее удельное напряжение электрического пробоя у SiC по сравнению с кремнием позволяет уменьшить размеры транзистора. В свою очередь, это позволяет увеличить его быстродействие. Так-же более высокое быстродействие транзисторов на карбиде кремния обусловлено тем, что они в процессе работы не входят в режим насыщения.

На транспорте с электрической тягой, в альтернативной энергетике, источниках бесперебойного питания и т. п. часто применяются инверторы, преобразующие постоянный ток в переменный. Наиболее громоздкие элементы инверторов — дроссели, трансформаторы и конденсаторы. Чем выше рабочая частота инвертора, тем компактнее эти элементы. Инвертор на кремниевых транзисторах имеет рабочую частоту не более 50 кГц, транзисторы на карбиде кремния позволяют создавать мощные инверторы с рабочей частотой до 150 кГц. Более низкие токи утечки определяют меньший нагрев SiC-транзисторов, а это значит, что систему теплоотвода можно сделать компактной.

Впервые на электротранспорте SiC-инвертор на транзисторах STMicroelectronics был применен в электромобиле Tesla Model 3, представленном в 2016 г. Применение инновационных транзисторов позволило повысить КПД электрооборудования, что увеличило дальность пробега от одной зарядки.

Уменьшение размеров электрооборудования особенно актуально для электробусов. Компактное электрооборудование на карбиде кремния позволяет создавать электробусы, имеющие практически такую же вместимость как их дизельные аналоги с теми же внешними габаритами.

SiC для цифровой энергетики

Современные транзисторы на карбиде кремния при комнатной температуре имеют сопротивление в закрытом состоянии до 350 МОм против 15 МОм у кремниевых аналогов, а максимальное напряжение между истоком и стоком может достигать 15 кВ. Это позволяет применять такие транзисторы для коммутации в средневольтных распределительных сетях постоянного тока. Именно такие сети будут характерны для «зеленой» энергетики будущего, как ожидается, они образуют так называемый «энергетический Интернет». В подобной распределительной сети обмен электроэнергии будет осуществляться так же свободно, как сейчас мы обмениваемся информацией через интернет. Этот проект продвигается на государственном уровне в Китае. Высокая скорость коммутации, характерная для SiC, позволит оперативно перераспределять потоки энергии от множества небольших генераторов.

Пример транзистора на карбиде кремния, способного выдерживать напряжение до 1200 В, но при этом выполненного в компактном корпусе

Более «приземленный» проект — создание инвертора, позволяющего напрямую преобразовывать постоянный ток от солнечной электростанции в переменный ток с напряжением 10 кВ. В результате появляется возможность подключения электростанции к распределительной сети без использования громоздких трансформаторов.

Уже сейчас SiC-транзисторы применяются в системах управления вращением ветряков. Благодаря таким системам генераторы ветряков можно подключать к сети переменного тока напрямую, минуя преобразования переменного тока в постоянный и обратно. Выбор в пользу карбида кремния был сделан из-за исключительной надежности приборов на его основе.

Выводы

Перспективность технологии SiC наиболее ярко демонстрирует пример компании Cree. Некогда она была ведущим мировым производителем светодиодов, но в 2020 г. продала светодиодное подразделение, а вырученные в результате этого средства вложила в расширение выпуска электроники на основе карбида кремния под брендом Wolfspeed. И это при том, что еще в 2000-х годах Cree была первопроходцем в производстве силовых приборов на нитриде галлия — другом полупроводнике с широкой запрещенной зоной.

Тем не менее повсеместное распространение МОП-транзисторов на карбиде кремния, по мнению автора статьи, будет зависеть от решения задачи упрощения управления. На момент написания статьи никакие компании, кроме UnitedSiC, не представили моделей SiC-транзисторов, запирающихся нулевым, а не отрицательным напряжением. Тем не менее в любом случае у SiC есть применения, где большая выгода от их использования позволяет мириться с более сложной системой управления.

Источник: Алексей Дубневский, журнал «Электротехнический рынок» № 4-5, 2021 год

Источник

Кремний, его свойства и применение в современной электронике

Характеристика свойств кремния в аморфной, кристаллической форме. Определение главных свойств атома вещества: атомная масса, электронная конфигурация. Понятие кремнезема как природного соединения кремния, силиция. Содержание в земной коре, его получение.

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«Санкт-Петербургский государственный технологический институт

(технический университет)» (СПбГТИ (ТУ))

СПЕЦИАЛЬНОСТЬ Химическая Технология

НАПРАВЛЕНИЕ Химия веществ и материалов

ДИСЦИПЛИНА Введение в специальность

НА ТЕМУ: Кремний, его свойства и применение в современной электронике

Выполнила студентка 1 курса, группы 131

Жуковская Екатерина Олесевна

Ежовский Юрий Константинович

3. Происхождение названия

4. Нахождение в природе

6. Физические свойства

7. Электрофизические свойства

8. Химические свойства

9. Кремний в организме человека

Самыми распространенным полупроводником в производстве электронных компонентов является кремний, так как запасы его на планете практически безграничны.

Внешний вид простого вещества

Имя, символ, номер: Кремний/Silicium (Si), 14

Атомная масса (молярная масса) 28,0856 а.е.м. (г/моль)

Электронная конфигурация: [Ne] 3s2 3p2, в соед. [Ne] 3s 3p3 (гибридизация)

Радиус атома 132 нм

Ковалентный радиус 111 нм

Радиус иона 42 (+4e) 271 (-4e) нм

Электроотрицательность 1,90 (шкала Полинга)

Электродный потенциал 0

Энергия ионизации (первый электрон) 786,0 (8,15) кДж/моль (эВ)

Термодинамические свойства простого вещества

Плотность (при н.у.) 2,33 г/ смі

Температура плавления 1414,85 °C (1688 K)

Температура кипения 2349,85 °C (2623 K)

Теплота плавления 50,6 кДж/моль

Теплота испарения 383 кДж/моль

Молярная теплоёмкость 20,16 Дж/(K·моль)

Молярный объём 12,1 смі/моль

Кристаллическая решётка простого вещества

Структура решётки: кубическая, алмазная

Параметры решётки: 5,4307 Е

Температура Дебая 625 К

Теплопроводность (300 К) 149 Вт/(м·К)

3. Происхождение названия

Название силиций или кизель (Kiesel, кремень) было предложено Берцелиусом. Еще ранее Томсон предложил название силикон (Silicon), принятое в Англии и США, по аналогии с борон (Boron) и карбон (Carbon). Слово силиций (Silicium) происходит от силика (кремнезем); окончание «а» было принято в XVIII и XIX вв. для обозначения земель (Silica, Aluminia, Thoria, Terbia, Glucina, Cadmia и др.). В свою очередь слово силика связано с лат. Silex (крепкий, кремень).

Русское название кремний происходит от древнеславянских слов кремень (название камня), кремык, крепкий, кресмень, кресати (ударять железом о ремень для получения искр) и др. В русской химической литературе начала XIX в. встречаются названия кремнезем (Захаров, 1810), силиций (Соловьев, Двигубский, 1824), кремень (Страхов, 1825), кремнистость (Иовский, 1827), кремнеземий и кремний (Гесс, 1831).

4. Нахождение в природе

Содержание кремния в земной коре составляет по разным данным 27,6—29,5 % по массе. Таким образом, по распространённости в земной коре кремний занимает второе место после кислорода. Концентрация в морской воде 3 мг/л. В морской воде кремния содержится даже больше, чем фосфора, столь необходимого для жизни на Земле.

Отмечены единичные факты нахождения чистого кремния в самородном виде.

Кремний содержится в большинстве минералов и руд. Необходимые месторождения кварцитов и кварцевых песков есть в очень многих странах мира. Однако, для получения более качественного продукта или для повышения показателей рентабельности, выгоднее использование сырья с максимальным содержанием кремния (вплоть до 99% SiO2). Столь богатые месторождения крайне редки и по всему миру активно и давно используются конкурирующей стекольной промышленностью. Последняя, правда, неохотно перерабатывает сырье даже с минимальным загрязнением железом, но в производстве ферросплавов оно мало критично. В целом по миру обеспеченность кремниевых производств сырьем считается высокой, а соответствующая доля затрат в его себестоимости незначительной (менее 10%).

кремний аморфный атом

«Свободный кремний можно получить прокаливанием с магнием мелкого белого песка, который представляет собой диоксид кремния:

При этом образуется бурый порошок аморфного кремния».

Возможна дальнейшая очистка кремния от примесей.

Очистка в лабораторных условиях может быть проведена путём предварительного получения силицида магния Mg2Si. Далее из силицида магния с помощью соляной или уксусной кислот получают газообразный моносилан SiH4. Моносилан очищают ректификацией, сорбционными и др. методами, а затем разлагают на кремний и водород при температуре около 1000 °C.

Очистка кремния в промышленных масштабах осуществляется путём непосредственного хлорирования кремния. При этом образуются соединения состава SiCl4 и SiCl3H. Эти хлориды различными способами очищают от примесей (как правило перегонкой и диспропорционированием) и на заключительном этапе восстанавливают чистым водородом при температурах от 900 до 1100 °C.

Разрабатываются более дешёвые, чистые и эффективные промышленные технологии очистки кремния. На 2010 г. к таковым можно отнести технологии очистки кремния с использованием фтора (вместо хлора); технологии предусматривающие дистилляцию монооксида кремния; технологии, основанные на вытравливании примесей, концентрирующихся на межкристаллитных границах.

Содержание примесей в доочищенном кремнии может быть снижено до 10?8—10?6 % по массе.

Способ получения кремния в чистом виде разработан Николаем Николаевичем Бекетовым.

В России технический кремний производится «ОК Русал» на заводах в г. Каменск-Уральский (Свердловская область) и г. Шелехов (Иркутская область); доочищенный по хлоридной технологии кремний производит группа «Nitol Solar» на заводе в г. Усолье-Сибирское.

6. Физические свойства

Кристаллическая структура кремния

7. Электрофизические свойства

Элементарный кремний в монокристаллической форме является непрямозонным полупроводником. Ширина запрещённой зоны при комнатной температуре составляет 1,12 эВ, а при Т = 0 К составляет 1,21 эВ. Концентрация собственных носителей заряда в кремнии при нормальных условиях составляет порядка 1,5·1010 см?3.

На электрофизические свойства кристаллического кремния большое влияние оказывают содержащиеся в нём примеси. Для получения кристаллов кремния с дырочной проводимостью, в кремний вводят атомы элементов III-й группы, таких, как бор, алюминий, галлий, индий. Для получения кристаллов кремния с электронной проводимостью, в кремний вводят атомы элементов V-й группы, таких, как фосфор, мышьяк, сурьма.

При создании электронных приборов на основе кремния задействуется преимущественно приповерхностный слой материала (до десятков микрон), поэтому качество поверхности кристалла может оказывать существенное влияние на электрофизические свойства кремния и, соответственно, на свойства готового прибора. При создании некоторых приборов используются приёмы, связанные с модификацией поверхности, например, обработка поверхности кремния различными химическими агентами.

Диэлектрическая проницаемость: 12

Подвижность электронов: 1200—1450 смІ/(В·c).

Подвижность дырок: 500 смІ/(В·c).

Ширина запрещённой зоны 1,205-2,84·10?4·T

Длина свободного пробега электрона: порядка 0,1 см

Все значения приведены для нормальных условий.

8. Химические свойства

При нормальных условиях кремний химически малоактивен и активно реагирует только с газообразным фтором, при этом образуется летучий тетрафторид кремния SiF4. Такая «неактивность» кремния связана с пассивацией поверхности наноразмерным слоем диоксида кремния, немедленно образующегося в присутствии кислорода, воздуха или воды(водяных паров).

При нагревании до температуры свыше 400—500 °C кремний реагирует с кислородом с образованием диоксида SiO2, процесс сопровождается увеличением толщины слоя диоксида на поверхности, скорость процесса окисления лимитируется диффузией атомарного кислорода сквозь плёнку диоксида.

Образующийся в этой реакции силан SiH4 содержит примесь и других силанов, в частности, дисилана Si2H6 и трисилана Si3H8, в которых имеется цепочка из атомов кремния, связанных между собой одинарными связями (—Si—Si—Si—).

Нижележащие элементы 4-й группы (Ge, Sn, Pb) неограниченно растворимы в кремнии, как и большинство других металлов. При нагревании кремния с металлами могут образовываться силициды. Силициды можно подразделить на две группы: ионно-ковалентные (силициды щелочных, щелочноземельных металлов и магния типа Ca2Si, Mg2Si и др.) и металлоподобные (силициды переходных металлов). Силициды активных металлов разлагаются под действием кислот, силициды переходных металлов химически стойки и под действием кислот не разлагаются. Металлоподобные силициды имеют высокие температуры плавления (до 2000 °C). Наиболее часто образуются металлоподобные силициды составов MeSi, Me3Si2, Me2Si3, Me5Si3 и MeSi2. Металлоподобные силициды химически инертны, устойчивы к действию кислорода даже при высоких температурах.

Особо следует отметить, что с железом кремний образует эвтектическую смесь, что позволяет спекать (сплавлять) эти материалы для образования ферросилициевой керамики при температурах заметно меньших, чем температуры плавления железа и кремния.

Для травления кремния наиболее широко используют смесь плавиковой и азотной кислот. Некоторые специальные травители предусматривают добавку хромового ангидрида и иных веществ. При травлении кислотный травильный раствор быстро разогревается до температуры кипения, при этом скорость травления многократно возрастает.

Для травления кремния могут использоваться водные растворы щелочей. Травление кремния в щелочных растворах начинается при температуре раствора более 60 °C.

9. Кремний в организме человека

Широко известны лечебные свойства кремниевой воды. Кремниевая вода является простым средством пополнения концентрации этого жизненно важного вещества в организме. Одним из наиболее насыщенных кремнием естественным источником является голубая, лечебная, пищевая глина.

Применение в медицине:

Применение в строительстве и легкой промышленности:

Соединения кремния нашли широкое применение как в области высоких технологий, так и в повседневной жизни. Кремнезем и природные силикаты- исходные вещества в производстве стекла, керамики, фарфора, цемента, изделий из бетона, абразивных материалов, и т.д. В сочетании с рядом ингредиентов диоксид кремния применяется в изготовлении волоконно-оптических кабелей. Слюда и асбест используются как электроизоляционные и термоизоляционные материалы.

Силиконы отлично подходят для отделки кожи и текстиля, защищают конечный продукт и оптимизируют производственные процессы.

Различные силиконосодержащие соединения подходят в качестве антипенной присадки для всевозможных типов чистящих средств.

Дисперсии на основе силиконов обеспечивают эффективное поглощение и используются в производстве абсорбентов.

Силиконы можно найти под капотом, в трансмиссии, электронике и электрических системах, в интерьере салона автомобиля или в швах на корпусе. Даже при высокой температуре, кремний защищает от воздействия агрессивных веществ, или выступает в роли перемычки, гасителя вибраций, проводника или изолятора. Все это возможно лишь благодаря тому, что кремний содержащие полимеры обладают потрясающе широким рядом полезных свойств.

Клеи и герметики являются важнейшими продуктами во многих ключевых отраслях. Кремний применяют в различных производственных областях, начиная с производства бумажного, упаковочного клеев, клея для древесины и пола и заканчивая автомобильным сектором и ветряной энергетикой.

Применение в тяжелой промышленности:

Опережающими темпами (около 8% прироста в год) растет применение чистого кремния и его соединений в химической промышленности. В последние десятилетия развитые страны быстро развивают технологии производства гаммы силиконовых (кремнийорганических) материалов, применяемых в производстве пластмасс, лакокрасочной продукции, смазок и т.п.

В цветной металлургии (и химической промышленности) шире применяется металлический магний. Наибольшее применение он находит в качестве лигатуры упрочненных алюминиевых (силумины) и магниевых сплавов.

Некоторое применение находит кремний (как карбид кремния и сложные композиции) в производстве абразивных и твердосплавных изделий и инструментов.

Применение в энергетике, электрике и электронике:

Двойные свойства кремния, такие как электропроводность и изоляционные качества, а также гибкость, позволяют использовать кремний во всей линейке продуктов, таких как приборы освещения, конденсаторы, изоляторы, а также чипы и диэлектрики. Таким образом, кремний изолирует от всевозможных внешних эффектов, таких как грязь, влага, радиация или тепло.

В датчиках бытовой электроники и измерения силиконы обеспечивают надежность и безопасность электрических и чувствительных электронных компонентов оборудования. Они применяются в автомобильной промышленности, легкой промышленности, полупроводниковой отрасли и оптоэлектронике, а также в измерительных приборах и технике управления и освещения.

В резисторах и конденсаторах метил-силиконовые смолы служат эффективным покрытием для предотвращения пожара в случае скачков электричества.

В изоляторах, кабелях и трансформаторах пирогенетический кремнезем демонстрирует превосходную термоизоляцию в широком температурном диапазоне: от комнатной температуры и до более 1000 °C.

Использование кремния в авиационной промышленности обусловлено его способностью генерировать энергию через высококачественные солнечные батареи, а также служить подложкой в сложных микросхемах и защищать корпус кораблей от внешних воздействий.

Кремний (с-Si) в различных своих формах (кристаллический, поликристаллический, аморфный) в настоящее время и в обозримом будущем останется основным материалом микроэлектроники. Это объясняется рядом его уникальных физических и химических свойств, из которых можно выделить следующие:

1. Кремний как исходный материал доступен и дешев, а технология его получения, очистки, обработки и легирования хорошо развита, что обеспечивает высокую степень кристаллографического совершенства изготавливаемых структур. Необходимо специально подчеркнуть, что по этому показателю кремний намного превосходит сталь.

2. Кремний обладает хорошими механическими свойствами. По значению модуля Юнга кремний приближается к нержавеющей стали и намного превосходит кварц и различные стекла. По твердости кремний близок к кварцу и почти вдвое превосходит железо. Монокристаллы кремния имеют предел текучести, который в три раза больше, чем у нержавеющей стали. Однако при деформации он разрушается без видимых изменений размеров, тогда как металлы обычно претерпевают пластическую деформацию. Причины разрушения кремния связаны со структурными дефектами кристаллической решетки, расположенными на поверхности монокристаллов кремния.

Полупроводниковая промышленность успешно решает проблему высококачественной обработки поверхности кремния, так что зачастую кремниевые механические компоненты (например, упругие элементы в датчиках давления) превосходят по прочности сталь.

Микроэлектронная технология изготовления кремниевых приборов основана на применении тонких слоев, создаваемых ионной имплантацией или термической диффузией атомов легирующей примеси, что в сочетании с методами вакуумного осаждения металлов на кремниевую поверхность оказалось весьма удобно для целей миниатюризации изделий.

Кремниевые микроэлектронные приборы изготавливаются по групповой технологии. Это означает, что все производственные процессы осуществляются для целой кремниевой пластины, которая содержит несколько сотен отдельных кристаллов («чипов»). И только на последнем этапе изготовления пластина разделяется на кристаллы, которые далее используются при сборке отдельных приборов, что в итоге резко снижает их себестоимость.

Для воспроизведения размеров и форм структур кремниевых приборов используется метод фотолитографии, обеспечивающий высокую точность изготовления.

2. J.P. Riley and Skirrow G. Chemical Oceanography V. 1, 1965

3. Металлический кремний в ийолитах Горячегорского массива, Петрология обыкновенных хондритов

Размещено на Allbest.ru

Подобные документы

Строение атома кремния, его основные химические и физические свойства. Распространение силикатов и кремнезема в природе, использование кристаллов кварца в промышленности. Методы получения чистого и особо чистого кремния для полупроводниковой техники.

реферат [243,5 K], добавлен 25.12.2014

Второй по распространенности (после кислорода) элемент земной коры. Простое вещество и элемент кремний. Соединения кремния. Области применения соединений кремния. Кремнийорганические соединения. Кремниевая жизнь.

реферат [186,0 K], добавлен 14.08.2007

По распространенности в земной коре кремний занимает 2 место после кислорода. Металлический кремний и его соединения нашли применение в различных областях техники. В виде легирующих добавок в производствах различных марок сталей и цветных металлов.

курсовая работа [55,0 K], добавлен 04.01.2009

Кремний — элемент главной подгруппы четвертой группы третьего периода периодической системы химических элементов Д.И. Менделеева; распространение в природе. Разновидности минералов на основе оксида кремния. Области применения соединений кремния; стекло.

презентация [7,3 M], добавлен 16.05.2011

Химические свойства простых веществ. Общие сведения об углероде и кремнии. Химические соединения углерода, его кислородные и азотсодержащие производные. Карбиды, растворимые и нерастворимые в воде и разбавленных кислотах. Кислородные соединения кремния.

реферат [801,5 K], добавлен 07.10.2010

Источник