пороговое напряжение
2.57 пороговое напряжение (voltage threshold): Уровень напряжения, установленный на электронном компараторе, выше которого будут распознаны сигналы.
Смотри также родственные термины:
72 пороговое напряжение (жидкокристаллического знакосинтезирующего индикатора); Uпор:
Значение управляющего напряжения жидкокристаллического знакосинтезирующего индикатора, при котором начинают проявляться электрооптические эффекты.
27. Пороговое напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора
E. Reverse conducting threshold voltage
F. Tension de seuil à l’état conducteur dans le sens inverse
Значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации характеристики обратного проводящего состояния с осью напряжения
38. Пороговое напряжение выпрямительного диода
D. Schleusenspannung der Diode
E. Threshold voltage
F. Tension de seuil
Значение постоянного прямого напряжения выпрямительного диода в точке пересечения с осью напряжений прямой линии, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику в области больших токов
17. Пороговое напряжение тиристора
E. On-state threshold voltage
F. Tension de seuil à l’état passant
Значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации характеристики открытого состояния с осью напряжения
Полезное
Смотреть что такое «пороговое напряжение» в других словарях:
пороговое напряжение — для явления растрескивания от коррозии под напряжением. Критическое напряжение при начале трещинообразования от коррозии под напряжением при определенных условиях. [http://www.manual steel.ru/eng a.html] Тематики металлургия в целом EN threshold… … Справочник технического переводчика
Пороговое напряжение — Threshold stress Пороговое напряжение. Пороговое напряжение для stress corrosion cracking растрескивания от коррозии под напряжением. Критическое напряжение при начале трещинообразования от коррозии под напряжением при определенных условиях.… … Словарь металлургических терминов
пороговое напряжение — slenkstinė įtampa statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. threshold voltage vok. Schwellenspannung, f; Schwellspannung, f; Schwellwertspannung, f rus. пороговое напряжение, n pranc. tension de seuil, f … Automatikos terminų žodynas
пороговое напряжение — slenkstinė įtampa statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. threshold voltage vok. Schwellenspannung, f; Schwellwertspannung, f rus. пороговое напряжение, n pranc. tension de seuil, f … Fizikos terminų žodynas
пороговое напряжение полевого транзистора — пороговое напряжение Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Обозначение UЗИ.пор UGST [ГОСТ 19095 73] Тематики… … Справочник технического переводчика
пороговое напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора — Значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации характеристики обратного проводящего состояния с осью напряжения. Обозначение Uобр,пор URC(OT) [ГОСТ 20332 84] Тематики полупроводниковые приборы EN… … Справочник технического переводчика
пороговое напряжение выпрямительного диода — Uпор, U(to) Значение постоянного прямого напряжения выпрямительного диода в точке пересечения с осью напряжений прямой линии, аппроксимирующей вольт амперную характеристику в области больших токов. [ГОСТ 25529 82] Тематики полупроводниковые… … Справочник технического переводчика
пороговое напряжение жидкокристаллического знакосинтезирующего индикатора — пороговое напряжение (жидкокристаллического знакосинтезирующего индикатора) Uпор Значение управляющего напряжения жидкокристаллического знакосинтезирующего индикатора, при котором начинают проявляться электрооптические эффекты. [ГОСТ 25066 91]… … Справочник технического переводчика
пороговое напряжение разряда — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN discharge ionization voltage … Справочник технического переводчика
пороговое напряжение тиристора — Значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации характеристики открытого состояния с осью напряжения. Обозначение Uпор UT(OT) [ГОСТ 20332 84] Тематики полупроводниковые приборы EN on state… … Справочник технического переводчика
Максимальная пороговое напряжение затвора?
Оценить 1 комментарий
Диапазон напряжений на который рассчитан затвор транзистора обзывают gate-to-source voltage, вот его превышать нельзя
И лучше приближаться к значению gate-to-source voltage, т.к. транзистор будет больше открыт, следовательно сопротивление его канала меньше, т.е. меньше потери на нагрев транзистора.
Обычно приводят графики тока от напряжения на затворе при фиксированном напряжении, по ним видно, что при напряжениях близких к treshhold ток через транзистор не очень большой, т.к. он еще не полностью открыт.
30в для мощных силовых.
Максимальная пороговое напряжение затвора?
Например 12 вольт сток и 12 вольт затвор.
Напряжение на переходе получилось 0,2 вольта и не меняется при 5 вольтах и при 9,5 вольтах затвора. Считаю сопротивление на переходе 0,2 : 1,8 = 0,11 ом
Для МДП-транзистора с индуцированным каналом проводящий слой находится в непосредственной близости от поверхности, поэтому подвижность носителей заряда определяется поверхностной концентрацией примеси.
Удельная крутизна 
характеризует коэффициент усиления транзистора в режиме малого сигнала и зависит от размера канала транзистора.
; 
;
Пороговое напряжение:
;
– напряжение плоских зон;
– контактная разность потенциалов;
– потенциала инверсии;
– заряд акцепторов;
Напряжение на затворе, при котором наступает инверсная проводимость на поверхности подложки, называется пороговым напряжением. Это условие выполняется, когда изгиб зон на поверхности достигает значения потенциала инверсии φi.
Ns – концентрация фиксированных в окисле зарядов;
Nag – концентрация акцепторов в затворе;
Na – концентрация акцепторов в подложке;
;
для Si;
– Ширина ОПЗ в подложке;
Коэффициент влияния подложки:
В высокоомных подложках заряд ОПЗ ионов примеси Q существенно не сказывается на работе прибора. Однако изменение напряжения на подложке приводит к его увеличению и влиянию Q на концентрацию подвижных носителей заряда в канале. Кроме того, с увеличением напряжения подложка-исток изменяется пороговое напряжение за счёт третьего слагаемого. Поэтому для низкоомных подложек вводят коэффициент влияния подложки:
– удельная емкость подложки;
– коэффициент влияния подложки;
Моделирование статической ВАХ
Крутая область ВАХ, когда Ud меньше напряжения насыщения Uds:
;
– напряжение насыщения;
Напряжение в пологой области ВАХ:
;
Какое напряжение называется пороговым
Итак, пусть мы прикладываем прямое напряжение к полупроводниковому диоду или переходу база-эмиттер транзистора и строим соответствующую ВАХ.
Приближенно эта ВАХ описывается функцией, близкой к экспоненте:
Важно то, что функция (1) не разрывная и даже не кусочно-гладкая, а всюду гладкая.
Теперь по сабжу. Под пороговым напряжением понимается одна из этих двух вещей:
1) напряжение, при котором диод «открывается».
2) напряжение, при котором заанчивается «нелинейная» часть ВАХ и начинается «линейная» часть.
Жаргонизм «открывается» можно понимать в двух смыслах:
1а) ток был «маленьким», а потом резко стал «большим»
1б) ток до порогового напряжения не определялся формулой (1) в силу неидеальности прибора, но начиная с порогового напряжения он определяться формулой (1).
Вариант 1б) я сразу отметаю, т.к. полупроводниковые приборы описываются выражением (1) или близким к нему (если учитывать омическое сопротивление перехода и эффект модуляции базы) в больших пределах изменения тока I (начиная от долей микроампер).
Поясню картинками. Построим в Multisim ВАХ диода 1N3600:
Непосредственно из рисунка видно, что в данном масштабе линейная часть ВАХ начинается с напряжения, примерно 650 мВ. Отсюда же она «резко» возрастает. Вроде сомнений не вызывает, и это напряжения можно считать «пороговым» для данного диода.
Но построим эту же ВАХ в другом масштабе (повторюсь, график тот же, но в другом масштабе по осям):
Из этого рисунка уже «следует», что пороговое напряжение не болеем 500 мВ. То есть, p-n переход «открыт» уже при меньших напряжениях.
Следовательно, если мы говорим, что «напряжение отпирания» диода или перехода транзистора 650 мВ, то мы должны дополнительно указать, что соответствующая ВАХ рассматривается в тех масштабах, в которых максимальный рабочий ток имеет величину, допустим, 40 мА (как у 1N3600). Но уже при другом масштабе, соответствующем токам 1 мА, «напряжение отпирания» 500 мВ.
То же можно сказать и о «линейности» характеристики. В масштабе, соответствующем первому рисунку, при u = 0,5 В попадаем на «нелинейный» участок ВАХ. Но на втором рисунке, выполненном в другом масштабе, те же 0,5 В попадают на «линейный» участок.
terio007  | | |||
Карма: 19 |
| |||
| ||||
| Alek Lem | | |||
Карма: 16 | | |||
| ||||
| B@R5uk | | |||
Карма: 29 |
| |||
| ||||
| Alek Lem | | |||
Карма: 16 |
| |||
| ||||
| B@R5uk | | |||
Карма: 29 |
| |||
| ||||
| Alek Lem | | |||
Карма: 16 |
| |||
| ||||
| B@R5uk | | |||
Карма: 29 |
| |||
| ||||
| Alek Lem | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Карма: 16 |
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
