какое напряжение для оперативной памяти ddr4 безопасно

Максимальное безопасное напряжение для DDR4

Сабж. Разгонял память, IMC в моем Ryzen 7 2700 выше 3600 МГц прыгнуть не позволяет, да и для этого пришлось выставлять напряжение в 1.4В.

Меня интересует, какой максимально безопасный предел для эксплуатации памяти 24/7 (на самом деле меньше). Понятное дело, полтора вольта это совсем пипец и приведет к скорой деградации чипов.

UPD: удалось даже до 1.39 скинуть, вроде memtest86 ошибок не выдает.

какой максимально безопасный предел

В среднем выше 1.4 на плашках идти не стоит. Где-то порог выше (B-Die), где-то ниже (C-die).

Ну и обдувать таки стоит.

Видимо, только экспериментальным путём.

А так, думаю допустимо не более чем 10 процентов от штатного.

Это самсунговские классификации? У меня Micron Rev. E.

Надеюсь, потока от трех корпусных вентиляторов и радиаторов на самих плашках хватит.

На какой-то материнке видел «авторские» пресеты на 2.0 вольта.

Это называется «зимний пакет», на авто подогрев руля, сидений, лобового стекла. А тут подогрев памяти, что бы теплее зимой было.

Только сейчас не сезон.

Вообще, берешь Ryzen dram calculator от 1usmus и настраивает по нему.

материнки при разгоне всё очень сильно завышают, нужно напряжения из auto переключать в normal(или как там в конкретном биосе) и выставлять вручную

Оно не работает под онтопиком никак.

Запускал в виртуалке, ни один пресет для Micron E-Die не завелся. Сработало только импортирование XMP профиля из какой-то второй виндовой утилиты, которую я смог запустить с LiveUSB.

3200 cl14@1.35v на b-die, уж год как работает, полёт нормальный. Настраивал калькулятором от 1usmus. При разгоне посматривай за температурой памяти, если за 45(ну или какая для твоей памяти по спекам) не вылезает в нагрузке, то все ок

Источник

Вступление

реклама

Но многие ли из вас догадываются, что неправильный разгон оперативной памяти может лишь ухудшить работу ПК: приводить к сбоям в работе, вылетам, различным глюкам и зависаниям? Что перенапряжение может пагубно сказаться на работе оперативной памяти, и серьезно сократить ее жизненный цикл?

Данная статья будет ориентирована в первую очередь на новичков в разгоне DDR4 на Ryzen, которые просто хотят узнать, как стабильно и правильно разогнать оперативную память. Статья не имеет цели нагружать пользователя бесполезной для него информацией и терминологией. Будет произведен разгон, описана методика, высказаны основные принципы и практические советы. Далее мы произведем температурные замеры ОЗУ под двумя разными профилями разгона и наконец выясним реальный прирост производительности в играх от разгона оперативной памяти.

Подготовка к разгону оперативной памяти

реклама

Теперь, когда вы перестали следовать гайдам из YouTube, скачайте такие программы, как Thaiphoon Burner, TestMem5 и Ryzen DRAM calculator, если их у вас еще нет. Также настоятельно рекомендуется обзавестись Aida64 и Ryzen Timings Checker.

Далее если вы не уверены, какие у вас чипы памяти, запустите Thaiphoon Burner и проверьте, какими чипами памяти наделена ваша оперативная память. Также полезным будет узнать ранковость памяти и число установленных планок памяти, а также наличие XMP (предустановленного разгона). Все это можно узнать в данной утилите. Немаловажным является объем оперативной памяти. Чем он больше, тем сложнее ее разогнать, так как возрастает нагрузка на контроллер памяти в процессоре. Который, к слову, в Zen+ процессорах далеко не идеален.

реклама

На этом для вас весь подготовительный этап завершен. Да, я изначально обещал не вводить вас в терминологию и тонкости, но все это была основа основ, которая необходима для правильного разгона памяти на процессорах Ryzen.

Простой разгон оперативной памяти с чипами Micron E-die и доработка результатов

реклама

Итак, переходим непосредственно к самой простой и 100% рабочей методике разгона. Вы ведь уже скачали последнюю версию Ryzen DRAM calculator? Отлично, тогда переходим в него и начинаем заполнение программы своими данными.

Всю необходимую информацию мы уже узнали на подготовительном этапе, осталось лишь внести ее в калькулятор и нажать на кнопку «Calculate SAFE» (рекомендую именно этот режим, так как с ним справятся даже самые «тугие» модули).

Далее мы переносим данные значения в BIOS. Рекомендую значения напряжений выставлять чуть выше рекомендованных калькулятором. И в случае чего их снижать. Заполнять значения таймингов в BIOS следует крайне внимательно, чаще всего ошибки появляются из-за неверных значений таймингов. Поэтому для начала разберитесь со своим BIOS, узнайте названия таймингов и опций, потом начинайте вносить изменений.

После того, как вы перенесли все результаты калькулятора в BIOS, настоятельно рекомендуется сохранить эти результаты в отдельный профиль, чтобы в случае чего редактировать его и не переносить все значения калькулятора повторно. Также не лишним будет установить количество попыток повторной загрузки ПК в случае сбоя. В каждом BIOS этот пункт называется по-своему. Советую ставить это количество попыток на 1, максимум 2.

Итак, теперь приступаем к проверке оперативной памяти. Сначала мы проверяем наш разгон программой TestMem5. Если тест был пройден с ошибками, то мы приступаем к уже описанным методам «лечения». Если ошибок при тесте не было, то не лишним будет «прогнать» тест памяти в Aida64 или нагрузить память на несколько часов любой другой программой, и тем самым проверить стабильность. Если все прошло хорошо, то мы переходим к следующему этапу, если есть какие-то сбои и ошибки, то. Вы уже сами должны догадываться, что делать.

Теперь вы либо завершаете разгон, либо, если вам важен каждый FPS и вы хотите, чтобы ваша система выдавала максимум от возможной производительности, то следует приступить к более детальной оптимизации оперативной памяти и «доработке» разгона. После чего следует опять все проверить. И, самое главное сравнивать результаты именно в тех задачах, ради которых вы разгоняете память.

О доработке результатов я могу лишь дать вам практические советы, но не четкую инструкцию к действиям, что будет даже правильней, потому что вся память уникальна и на достижение результатов выше, чем может выдать калькулятор, может повлиять личная удача энтузиаста.

Практические советы по ручному разгону памяти с чипами Micron E-die, основные принципы при регулировке напряжения и настройке таймингов

Итак, представляю вашему вниманию мой итоговый результат разгона после оптимизации и ручной «доработки». В зеленых рамочках выделены те значения, которые я выбрал в калькуляторе, а в красных рамочках находятся те результаты, которые я оптимизировал под свою память.

Итак, вот те принципы, которым я следовал, когда «ужимал» первичные и вторичные тайминги:

Итак, спустя почти 3 месяца изучения платформы AM4 и разгона памяти с процессором Zen+, я добился стабильного результата разгона.

Но все мои прошлые попытки разгона я, естественно, сохранял в отдельные профили в BIOS. Одно время я добился стабильного результата на частоте в 3400 с таймингами CL 14 при напряжении 1.45 вольта, но почему я отказался от такого разгона вы узнаете далее.

Итак, вот такие температурные показатели имеют модули при напряжении в 1.39 вольта. Быть может, реальная температура даже выше на пару градусов, но если их трогать рукой, то они реально горячие, но пальцы не обжигают.

Такие температурные показатели получились в открытом стенде при тестировании оперативной памяти программой TestMem5 в течение 8 минут.

Если для вас это кажется уже много и ваше представление о «холодной современной памяти» разрушилось, то даже не смотрите на результаты при напряжении в 1.45 вольт.

Удивлены? Если вы все-таки «кочегарите» память, то не лишним будет заняться обдувом модулей памяти. Но лучше не выходить за рамки 1.4 вольт для Micron E-die.

При этом сама память выдавала следующие результаты в AIDA64 Memory & Cache:

Тестирование влияния разгона памяти на производительность в играх

Но для начала прошу ознакомиться с тестовым стендом.

Тестовый стенд

Тестирование разгона модулей оперативной памяти CRUCIAL Ballistix BL2K16G30C15U4B 2×16Гб в игре Assassin’s Creed Odyssey проводилось на следующей конфигурации:

Тестирование

Игра тестировалась на следующих настройках графики. Стоит обратить внимание, что видеокарта GTX 1060 6Gb в некоторых местах загружалась на 100%, поэтому результаты выходят не совсем эталонными.

Прошу ознакомиться с результатами тестирования. Эффективность разгона оперативной памяти проверялась изменением значения 1% FPS.

Заключение

Надеюсь, что данная статья окажется полезной всем тем, кто только начал осваивать разгон памяти на Ryzen, или уже успел разочароваться в своих оверклокерских навыках, до конца не разобравшись в специфике разгона ОЗУ на AM4.

В заключении стоит еще раз напомнить, что разгон с овервольтажами ради циферок и бездумное копирование чьих-то параметров разгона ни к чему хорошему не приведут. В первую очередь следует обращать внимание на результаты разгона в реальных задачах и подходить к разгону с головой, обращая внимание на поведение компьютера и температуры.

Источник

12 мифов об оперативной памяти, про которые пора забыть

В предыдущих статьях мы рассмотрели популярные заблуждения насчет процессоров и материнских плат, теперь же поговорим о мифах, связанных с ОЗУ.

1. Двухканальный режим работы не нужен, главное — объем.

Неудивительно, что одна плашка на 8 ГБ стоит дешевле, чем две по 4 ГБ, так что желание сэкономить выглядит очевидным. Но не стоит этого делать, если вы используете ПК не только для серфинга в интернете и просмотра фильмов — двухканальный режим ускоряет работу с ОЗУ на 70-90%, что и снизит нагрузку на процессор (он будет меньше времени простаивать — а значит больше времени сможет работать), и ускорит производительность в любых вычислительных и игровых задачах, причем зачастую разница будет не в единицы процентов, а в десятки, то есть переплата за две плашки порядка 5-7% стоит того.

2. Для получения двухканального режима нужны две идентичные плашки ОЗУ.

Если мы не берем времена DDR и DDR2, когда установка больше одной плашки памяти могла вызвать многочисленные танцы с бубном, даже если модули были одинаковыми, то сейчас с этим все проще: у плашек DDR3 и DDR4 может быть любой объем, частота и тайминги — в большинстве случаев (увы — из-за кривых BIOS исключения бывают) двухканальный режим будет работать, объем модулей, разумеется, суммироваться, а частоты будут браться по самой медленной плашке и (или) спецификациям JEDEC: это комитет, который занимается разработкой ОЗУ. По их предписаниям, в любой плашке памяти должна быть зашита определенная частота и тайминги для каждого стандарта памяти — это как раз создано для того, чтобы любые плашки одного стандарта (например, DDR4) всегда могли найти «общий язык».

3. Разгон ОЗУ — баловство, нужное только для получения высоких циферек в бенчмарках

Еще лет 7-10 назад это действительно было так — более того, тогда и двухканальный режим особо производительность не увеличивал. Но, увы, сейчас времена меняются: так, например, у процессоров Ryzen частота ОЗУ связана с частотой внутренней шины, которой соединяются два блока ядер, так что разгон ОЗУ в их случае напрямую влияет на производительность CPU. Но даже в случае процессоров от Intel более высокая частота памяти дает свои результаты:

Так, при обработке фотографий увеличение скорости ОЗУ с 2400 до 2933 МГц — такой разгон способны взять практически любые модули DDR4 — время обработки уменьшается на 15-20%, что очень и очень существенно.

4. Встроенные профили авторазгона XMP/D.O.C.P сразу же предлагают лучшие частоты и тайминги

Разгон становится все проще и доступнее рядовому пользователю: так, сейчас на рынке выпускается огромное количество модулей ОЗУ со вшитыми профилями авторазгона — стоит выбрать их в BIOS, как ваша память сразу же стабильно заработает на частотах, зачастую в полтора раза выше стандартных для DDR4 2133 МГц. Однако следует понимать, что прежде чем выставить такую частоту и тайминги в своем профиле, производитель тщательно протестировал большое количество плашек, так что такие профили — это как Turbo Boost в процессоре: вроде и разгон, но в щадящем режиме.

Поэтому есть смысл еще «покрутить» настройки самому — зачастую получится «выжать» еще пару сотен мегагерц, что даст вам лишние 5-10% производительности. С учетом того, что производитель зачастую выпускает целую линейку памяти, например 3066/3200/3333 МГц, то зачастую можно взять самую дешевую, на 3066 МГц, и поставить параметры от 3333 МГц, получив такую же производительность и несколько сэкономив.

5. Быстрая ОЗУ увеличит производительность в любом случае

Не стоит забывать, что далеко не всегда можно разогнать память: так, у Intel это можно сделать только на чипсетах Z-серии. Поэтому абсолютно нет смысла брать какой-нибудь i5-8400, плату на B360 чипсете и ОЗУ DDR4-3200 МГц — контроллер памяти в процессоре не даст вам поднять частоту выше 2666 МГц, так что смысла в переплате за быструю ОЗУ тут нет.

Это же касается и ноутбуков — редкие дорогие модели с процессорами HK имеют возможность разогнать память, и если у вас не такой CPU — нет смысла брать ОЗУ с частотами выше 2400-2666 МГц.

6. Радиаторы на ОЗУ — нужная вещь, спасают плашки от перегрева

Миф, активно продвигаемый различными маркетологами, чтобы продать вам те же самые плашки, но уже с радиаторами и несколько дороже. Во-первых, если у вас случаи как в пункте 5, то есть память работает на частотах и напряжениях, близких к спецификациям JEDEC (2133-2400 МГц и 1.2 В для DDR4), то радиаторы не нужны абсолютно: нагрев едва ли превысит 35-40 градусов даже под серьезной нагрузкой — именно поэтому ноутбучная память идет без радиаторов.

Более того, даже если вы берете высокочастотную память, которая способна взять 4000+ МГц при 1.35-1.4 или даже 1.5 В (последнее значение уже считается экстремальным), то нагрев может стать ощутимым — вплоть до 50-60 градусов. Однако если посмотреть, при каких температурах могут работать чипы памяти, то всплывает интересная картина — зачастую цифры от различных производителей колеблются от 80 до 90 градусов, что банально недостижимо ни при каком мыслимом разгоне. Поэтому радиаторы в данном случае — просто украшение.

7. От разгона оперативная память сгорает

Да, и именно поэтому ОЗУ некоторые производители продают уже разогнанной, причем не только частоту памяти повышают, но еще и напряжение. Разумеется, при желании сломать можно любую вещь, так что лучше не выходить за определенные рамки: так, безопасными напряжениями для DDR4 считаются 1.2-1.35 В, частоты — любые, достижимые в этом диапазоне напряжений (так как частота — параметр, который никак к «железу» не относится, а значит и сжечь его не может).

8. Если на плате есть слоты и DDR3, и DDR4, то можно ставить любые сочетания плашек — они заработают вместе

Достаточно опасный миф: во-первых, разумеется DDR3 и DDR4 вместе работать не смогут, как минимум из-за того, что у них нет общих по JEDEC частот и таймингов. Во-вторых, установка вместе DDR3 и DDR4 может повредить плату или память — например, на DDR4 плата может подать напряжение в 1.5 В, которое для DDR3 является вполне рабочим, а вот для DDR4 — экстремальным. Так что следите за тем, чтобы на плату были установлены плашки только одного типа.

9. Последние поколения процессоров от Intel (Coffee Lake) не умеют работать с DDR3

Действительно, если зайти на официальный сайт Intel, то в спецификациях будет поддержка только DDR4:

Однако на деле в Intel особо не меняли контроллер ОЗУ со времен Skylake, и учитывая то, что многие производители материнских плат гонятся за прибылью, а не за выполнением условий, поставленных Intel, в продажу попадают вот такие платы:

Маркировка платы — Biostar H310MHD3, то есть это H310 чипсет, который поддерживает даже Core i9-9900K, а на плате есть только два слота DDR3. Так что если вы решили обновить процессор — абсолютно не обязательно менять при этом еще и ОЗУ.

10. При разгоне ОЗУ главное добиться максимальной частоты

В общем и целом — нет, важен баланс между частотой и таймингами (то есть задержками при работе с памятью). В противном случае может оказаться так, что память при меньшей частоте и с меньшими задержками окажется лучше, чем при высокой частоте и с большими задержками:

Поэтому при разгоне пробуйте разные сочетания частот и таймингов (или возьмите лучшие из обзоров, только не забудьте их проверить memtest-ом).

11. Нельзя ставить вместе DDR3L и DDR3

Уже не самый актуальный миф, но все же DDR3 с арены до сих пор не ушла, так что имеет смысл про него рассказать. Так как выход DDR4 оказался достаточно затянутым, была придумана промежуточная память — DDR3L, основное нововведение в которой — возможность работы при более низких напряжениях, 1.35 В против 1.5 у обычной DDR3. И именно отсюда и идет миф — дескать если поставить их вместе, то DDR3L сгорит от 1.5 В.

Как я уже писал выше, у ОЗУ каждого стандарта есть свой диапазон безопасных напряжений, и 1.5 В — это нормальное значение для низковольтной памяти. Более того — раз JEDEC не стала менять сам слот, это еще раз говорит о том, что эти два подтипа памяти совместимы.

12. 64-битные версии Windows поддерживают любой объем ОЗУ

Разумеется, это не так: про то, что у Windows x86 есть ограничение в

3.5 ГБ ОЗУ (если не говорить о PAE), знают многие, и если вычислить объем памяти, который можно адресовать в 64-битной системе, то цифра действительно кажется бесконечной — 16 миллионов терабайт. Но на практике все банальнее: так, Windows XP x64 поддерживает «лишь» 128 ГБ ОЗУ, Windows 7 — до 192, а Windows 8 и 10 — до 512 ГБ. Да, для пользовательского ПК это цифры крайне большие, но вот для серверов — уже давно нет, ну и уж тем более тут и близко нет миллионов терабайт.

Если вы знаете еще какие-либо мифы про ОЗУ — пишите про них в комментариях.

Источник

Какое напряжение для оперативной памяти ddr4 безопасно

В свете появления модулей памяти нового стандарта — DDR4 — возникает закономерный вопрос: каков диапазон безопасных напряжений для разгона модулей SDRAM DDR4? Поскольку контроллеры памяти процессоров Haswell-E поддерживают как память стандарта DDR3, так и память стандарта DDR4, очевидно, что от установки напряжения для модулей DDR4 на уровне 1,5 В с ними ничего не случится. Как известно, стандарт DDR4 опирается на базовое напряжение питания памяти, равное 1,2 В, тогда как память DDR3 питается напряжением 1,5 В. Но что будет с памятью DDR4 при установке такого напряжения? Компания G.Skill, к примеру, свои рекорды по разгону модулей ставила с питанием памяти DDR4 на уровне 1,35 В.

реклама

Сайт Legit Reviews сообщает, что в новых профилях Intel XMP 2.0 для работы с памятью DDR4 предусмотрены как 1,35 В, так и 1,5 В. И всё же, источник не рискнул провести эксперимент с повышением питания памяти DDR4 до потенциально «смертельного» уровня. Вместо этого наши коллеги отправили соответствующий запрос в компанию Intel. В компании ответили, что 1,5 В для питания памяти DDR4 являются тем абсолютным уровнем, который нельзя превышать. «Хорошая» память DDR4 сможет без проблем работать на напряжении 1,35 В. Гарантировать работоспособность памяти в диапазоне 1,35-1,5 В нельзя. Технически это возможно, но без гарантии. Поэтому оптимальным напряжением для разгона будет диапазон от 1,2 В до 1,35 В. С такими параметрами сжечь дорогую память, плату или процессор — это ещё надо будет постараться.

Источник

Дешёвая память тоже бывает интересной: разгоняем модули Kingston Value RAM (KVR) DDR4-2133 (KVR21N15S8/8) объёмом 8 Гбайт

Оперативная память Kingston серии Value RAM обычно вызывает скепсис у пользователей, увлекающихся разгоном. Этому есть вполне определённые основания: в ассортименте компании Kingston предостаточно «оверклокерской» изначально разогнанной памяти и вполне очевидно, что при их производстве всегда будет скапливаться определённый объём микросхем DRAM, не прошедших отбор по тем или иным требованиям. Однако картина несколько сложнее, чем представляется и на практике бывают сюрпризы.

Содержание

Вступление

В отношении таких серий «простой» памяти неверно полагать, что они всегда брак, неликвид и так далее. На самом деле всё несколько сложнее.

Во-первых, техпроцессы со временем обычно отлаживаются и качественные характеристики выпускаемых микросхем (чего угодно, а не только DRAM) постоянно улучшаются, при этом «оверклокерские» серии, при всей масштабной рекламе, выпускаются и продаются не такими уж огромными тиражами, а вот именно массовым продуктом является зачастую «обычная» память. И производитель часто вынужден даже изначально хорошую память выпускать под видом «обычной». Ну а куда её девать, если объёмы выпуска удачных микросхем превышают спрос на «оверклокерские» модули? Конечно, определённый запас «на всякий случай» всегда сформирован, но абсолютно всё складировать не будешь.

Во-вторых, отбор памяти производится по определённым критериям: напряжениям, таймингам, частотам. И если по каким-то из этих параметров микросхемы «выпадают», то они не используются. Например, максимальное заводское напряжение памяти DDR4 «оверклокерских» серий обычно составляет 1.35 В и каких бы выдающихся результатов не достигала память при 1.4 В, она не будет считаться пригодной. Или, например, выдающиеся результаты по частоте достигаются при таймингах 18-18-18. Это приличные тайминги? Вполне. Но если такой формулы таймингов в ассортименте нет, то эти микросхемы также считаются «несоответствующими».

Ну и лишь на третьем месте по объёмам идёт действительно «нехорошее». Просто потому что брак практически всегда составляет совсем небольшой объём производства.

У меня на руках оказалось два модуля Kingston Value RAM (KVR) DDR4-2133 (KVR21N15S8/8).

Упаковка, комплект поставки

В отличие от подавляющего большинства такого рода памяти, модули Kingston KVR поставляются не в «голом» виде, а в собственной индивидуальной упаковке, в которую вложен буклет с информацией о гарантии и инструкция по установке.

Внешний осмотр

Модули являются односторонними.

Никаких радиаторов и прочих декоративных элементов. К сожалению, этикетки на модулях памяти Kingston несут информацию о модуле не только в не совсем полном, но ещё и в зашифрованном виде:

KVR – линейка Kingston Value RAM;

C15 – тайминг CAS Latency 15T;

Также на этикетке указана дата производства, коей является 4-я неделя 2017 года (обозначение «1704»), и штатное напряжение (1.2 В). Тайминги tRCD, trRAS и tRP не указываются.

При визуальном осмотре видно, что используется шестислойная печатная плата, иначе говоря, никаких изысков нет не только в эстетическом, но и в техническом плане.

На печатной плате также можно найти три технологических маркировки Kingston: «2025678-0F1.B00G», «617» и «4M-1 94V-0 1701»

Массив DRAM набран оригинальными микросхемами SK Hynix.

Использованы микросхемы SK Hynix H5AN8G8NMFR-TFC

Обратите внимание на то, как шикарно CPU-Z расшифровывает записи в SPD профилей, показывая какие-то несуществующие частоты и наборы таймингов. Подобное водится за данной программой на систематической основе. К счастью, Thaiphoon Burner это отношении гораздо адекватней:

Тестовые стенды и методика

Используется два тестовых стенда: на платформе Intel Kaby Lake и платформе AMD Ryzen

В процессе тестирования выясняется способность модулей работать с различными сочетаниями таймингов, начиная от 13-13-13, и напряжениях от 1.20 до 1.40 В. Проверка стабильности осуществляется в операционной системе Windows 10 x64 Домашняя Creators Update с помощью Prime95 версии 28.10 в редакции 64-bit в течение 20 минут в режиме «Custom» с ручным указанием занимаемого объема памяти так, чтобы в ходе теста занимался максимальный объём модуля (файл подкачки отключен).

Модули памяти тестировались поодиночке и устанавливались во второй по счёту слот от процессорного разъема.

Разгоняем на AMD: нюансы, о которых надо знать

Сравнивая результаты, нужно учитывать нюансы платформы AMD: она даёт заметно меньший простор для оперирования параметрами системы.

Во-первых, набор доступных частот у AMD меньше. Даже есть своеобразная «дыра» между 2400 и 2667 МГц:

В-третьих, Command Rate на платформе AMD по умолчанию всегда фиксирован на значении 1T, что иногда ограничивает разгонный потенциал. Чтобы включить 2T, нужно не просто переключить сам тайминг, но и деактивировать режим Gear Down (соответствующий параметр у разных производителей материнских плат находится в разных разделах, иногда, как у ASRock, может даже дублироваться в нескольких местах).

Сейчас в тестлабах ASRock, ASUS, Gigabyte и MSI уже проходит внутреннее тестирование AGESA новой версии 1.0.0.7, посмотрим, что даст она.

Результаты тестов

Меня несколько удивило то, что модули оказались совершенно идентичны. Обычно есть хоть какой-то разброс (совершенно нормально). Поэтому таблиц всего две.

Intel

Платформа AMD ожидаемо дала меньше результатов за счёт меньшего числа доступных частот и нелюбви к нечётным таймингам.

Но из-за одинаковости модулей скучать не пришлось: обнаружилось цепочка сюрпризов.

Во-первых, оба модуля на платформе Intel на частотах свыше 2800 МГц сохраняли стабильность только при Command Rate 2T, тогда как на AMD о величине CR, как оказалось, можно не беспокоиться вовсе, вплоть до 3200 МГц.

Получилось так, что к ASRock AB350 Pro4 позавчера, 18 июля, была опубликована прошивка версия 3.0 на AGESA 1.0.0.6a, но модули я отдал за день до этого, они уже уехали, и проверить предположение уже просто нет возможности.

Выводы

Источник